金融界2024年12月13日音讯，国家知识产权局信息数据显现，联华电子股份有限公司请求一项名为“磁阻式随机存取存储器元件及其制造的进程”的专利，揭露号 CN 119110668 A，请求日期为 2023 年 6 月。
专利摘要显现，本发明揭露一种磁阻式随机存取存储器元件，包括一底电极、一自旋轨迹转矩层、一磁隧穿结以及一顶电极。底电极包括互相相连的一第一层以及一第二层。第一层的资料包括 Tax1Ny1，第二层的资料包括 Tax2Ny2，且满意以下条件式：y2/x21，y1/x1≥1，以及 y2/x2y1/x1。自旋轨迹转矩层设置于底电极上，磁隧穿结设置于自旋轨迹转矩层上，顶电极设置于磁隧穿结上。
