金融界2024年11月11日音讯，国家知识产权局信息数据显现，联华电子股份有限公司请求一项名为“半导体元件及其制造的进程”的专利，揭露号CN 118919533 A，请求日期为2023年5月。

  专利摘要显现，本发明揭露一种半导体元件及其制造的进程，其间该半导体元件包含一基底，基底包含一高压区以及一低压区，一榜首深沟槽阻隔设置在高压区内，其间榜首深沟槽阻隔包含榜首深沟槽设置于基底中和一榜首绝缘层填入榜首深沟槽，其间榜首深沟槽包含一榜首侧壁和一第二侧壁，榜首侧壁面临第二侧壁，榜首侧壁仅由一榜首平面和一第二平面组成，榜首平面的边际连接第二平面的边际，榜首平面的斜率和第二平面的斜率不同，一浅沟槽阻隔设置在低压区内，其间浅沟槽阻隔包含一沟槽设置于该基底上以及一第二绝缘层填入浅沟槽，其间浅沟槽阻隔的深度小于榜首深沟槽阻隔的深度。

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